≪공통 기술 사양≫
* 측정 파장 : 730 ~ 970 nm
* 광원 : 특수 백열 텅스텐 램프 (5.0 V DC, 970 mA, 수명 : 3 ~ 5년)
* 분해능 : ± 0.05 % 이내
* 재현성 : ± 0.5 % 이내
* 직선성 : ± 1 %이내
* 보호 : IP65
* 프로세스 압력 : 0 ~ 100 bar (표준)
* 프로세스 온도 : 0 ~ 120 °C (표준)
≪AF16-N 기술 사양≫
* 측정 원리 : 단일 채널 NIR-흡수
* 검출기 : 1 실리콘 포토다이오드
* 광학 경로 길이 : 1 ~ 1000 mm
≪TF16-N 기술 사양≫
* 측정 원리 : 단일 채널 NIR-흡수, 듀얼 채널 산란광 흡수(11°)
* 검출기 : 1 실리콘 포토다이오드(Abs.), 8 실리콘 포토다이오드(11°)
* 측정 범위(NIR-흡수) : 0 - 0.05 ~ 5 CU
0 - 50 ~ 8,000 ppm
0 - 20 ~ 3,200 FTU
0 - 5 ~ 800 EBC"
* 측정 범위(산란광 흡수) : 0 - 0.05 ~ 5 CU
0 - 50 ~ 8,000 ppm
0 - 20 ~ 3,200 FTU
0 - 5 ~ 800 EBC"
* 광학 경로 길이 : 40 mm (표준)